Драйверы для IGBT и MOSFET транзисторов. Компания ЭЛТЕХ   официальный дистрибьютор компании IXYS на территории Российской Федерации. Компания IXYS один из мировых лидеров в производстве мощных полевых транзисторов MOSFET  и биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT. IXYS также выпускает и  микросхемы драйверов   для эффективного управления затвором MOSFET и IGBT транзисторов. Важным преимуществом. Драйвер Для Транзистора Мосфет' title='Драйвер Для Транзистора Мосфет' />Чении MOSFET ток стока нарастает быстрее, чем происходит спад на пряжения в канале транзистора. В результате могут наблюдаться суще ственные. Драйвера MOSFET транзисторов фирмы Maxim. MAX5078, 4 A 20 нс драйвер МОП транзисторов, 4 to 15, 4, 1. CL5000pF, 6TDFNEP. Вся линейка оптоизолированных драйверов для IGBTMOSFET транзисторов гарантирует высокий уровень подавления синфазных помех CMR до 40. Методика выбора драйвера для IGBT или MOSFETтранзистора. В данных рекомендациях по применению описывается методика расчета. IX2. 18. 44  является аппаратная реализация паузы между переключением ключей dead time, что существенно повышает надежность конечного устройства. Временем паузы программируемое и может быть установлено от 4. Малые задержки времени позволяет реализовывать преобразование на высокой частоте. IX2. 18. 44  разработан для управления MOSFET и IGBT транзисторами, работающими при напряжении до 7. В. IX2. 18. 44позволяет реализовывать полумостовые, мостовые и трехфазные варианты исполнения преобразователей. Технические характеристики. Напряжение на шине, Voffset  6. В максимум 7. 00. В. Выходной ток IOIO   1. А    1. 8. А. Время задержки распространения tontoff 5. Время нарастания спада фронта trtf  2. Программируемая пауза переключения Dead time TD  от 4. Возможность работы с входными логическими сигналами 3,3. В и 5. В. Вывод Shut Down перевод драйвера в неактивное состояние. Отключение при пониженном напряжении питания UVLO как для верхнего, так и для нижнего плеча. Устойчив к отрицательным выбросам напряжения при переходных процессах. IX2. 11. 3 IX2. Высоковольтный быстрый драйвер для силовых MOSFET и IGBT транзисторов. IX2. 11. 3 имеет два независимых канала верхнего и нижнего плеча и разработан для схем, работающих при напряжении до 7. В. Этот драйвер надежен и устойчив к выбросам при переходных процессах, задержки распространения настолько малы, что позволяют использовать этот драйвер в высокочастотных приложениях. Технические характеристики. Напряжение на шине, Voffset  6. В максимум 7. 00 В. Разберем поподробнее и разных драйверов. Nканальный MOSFET Для управления Nканальным полевиком необходимо. Ещ мосфет может работать в инверсном режиме. Вконтакте http и Facebook httpswww. Силовые транзисторы IGBT и MOSFET стали ос. Выходной ток IOIO 2. А 2 А. Время задержки распространения  tontoff  1. Время нарастанияспада фронта trtf  9,7нс 9,4 нс. Входное напряжение 1. В. Возможность работы с входными логическими сигналами 3,3 В. Вывод Shut down перевод драйвера в неактивное состояние. Отключение при пониженном напряжении питания UVLO как для верхнего так и для нижнего плеча. Устойчив к отрицательным выбросам напряжения при переходных процессах. IX2. 12. 7 IX2. MOSFET и IGBT транзисторов. IX2. 12. 7 имеет встроенный компаратор, который, обнаружив в управляемом транзисторе перегрузку по току, своевременно отключает управление функция shut down. При этом выход FAULT укажет, что отключение произошло из за перегрузки по току. IX2. 12. 7 оптимален для применения в схемах балласта для флуоресцентных ламп, управления электродвигателями, импульсных источниках питания и других устройствах. Технические характеристики. Напряжение на шине, Voffset  6. В. Выходной ток IOIO 2. А 4. 50 м. А. Время задержки распространения  tontoff  1. Время нарастанияспада фронта trtf  2. Возможность работы с входными логическими сигналами 3,3 В, 5 В и 1. В. Отключение при перегрузки по току Over Current Shutdown. Драйвер производится по технологии IXYS IC кремний на изолятореSOI, имеет широкий диапазон по выходному напряжению от 1. В до 2. 6 В и два токовых выхода, каждый из которых рассчитан на 2 А входного тока и 4 А выходного, и возможность включения каналов в параллель для управления более мощными транзисторами. IX2. 20. 4 также подходит для управления Si. C MOSFET транзисторами. IX2. 20. 4NE имеет два уровня защиты от перегрузки по току управляемого транзистора и от снижения питающего напряженияUVLO. Так же есть выход сигнала аварии, который отражает наступление одного из вышеперечисленных событий. Благодаря малым задержкам распространения и очень коротким фронтам эти драйверы являются оптимальными для силовых высокочастотных применений. IXD. Драйвера оптимизированы для работы на частотах до 1. МГц. Технические характеристики. Широкий диапазон напряжения питания от 4. В до 3. 5В. Пиковый выходной ток от 1,5 А до 3. А. Оптимизированы для работы на частотах до 1. МГц. Собственное потребление 1. А. Расширенный диапазон рабочей температуры 4. На входе оптрона драйвера применен светодиод инфракрасного диапазона с малым прямым падением напряжения 1. В. Выходной каскад рассчитан на большие пиковые токи 2,5 А max, что вместе с высокой помехозащищенностью 2. Вмкс позволяет применять драйверы в таких устройствах, как схемы управления электродвигателями, промышленные инверторы, электросварочные аппараты, импульсные источники питания и др. Технические характеристики. Прочность изоляции входвыход 3. В. Выходной ток 2. А. Время нарастанияспада фронта trtf  0,1мкс 0,1мкс. Время задержки распространения  tplhtphl  0. Входное напряжение от 1. В до 3. 0В. Отключение при пониженном напряжении питания UVLO. Высокая помехозащищенность минимум 2. Вмксек, CMR. CPC1. CPC1. 59. 0. CPC1. CPC1. 59. 0 быстрые оптически изолированные драйвера затвора, не требующие дополнительного источника питания питание поступает от внешнего конденсатора, заряжаемого от напряжения нагрузки. Эти драйверы рассчитаны на применение в импульсных схемах с коротким рабочим циклом. Технические характеристики. Прочность изоляции входвыход 3. В. Напряжение на нагрузке, VL  1. В. Время задержки распространения  tontoff  1. Совместимость с TTLCMOS логикой. Не требуется дополнительный источник питания. FDA2. 15, FDA2. 17. FDA2. 15 и FDA2. 17    оптически изолированные двухканальные драйверы затвора для MOSFET транзисторов. Представляют собой сочетание инфракрасного Ga. AIAs светодиода и сборки фотодиодов, при протекании тока через светодиод на выходе генерируется напряжение достаточное для управления MOSFET транзистором. Технические характеристики. Прочность изоляции входвыход 3. В. Ток короткого замыкания выхода 2,5 мк. А 4,5 мк. А Время нарастанияспада tontoff  55 мс 20,5 мс Выходы с возможностью параллельного, последовательного или независимого подключения. Открытый выход с возможностью параллельного или последовательного подключения. В скобках приведены данные для FDA2. Драйвер мощных полевых транзисторов MOSFET для низковольтных схем radiohlam. Всем хороши мощные полевые транзисторы MOSFET, кроме одного маленького нюанса, подключить их напрямую к выводам микроконтроллера зачастую оказывается невозможно. Это, во первых, связано с тем, что допустимые токи для микроконтроллерных выводов редко превышают 2. А, а для очень быстрых переключений MOSFET ов с хорошими фронтами, когда нужно очень быстро заряжать или разряжать затвор который всегда обладает некоторой мкостью, нужны токи на порядок больше. И, во вторых, питание контроллера обычно составляет 3 или 5 Вольт, что в принципе позволяет управлять напрямую только небольшим классом полевиков которые называют logic level с логическим уровнем управления. А учитывая, что обычно питание контроллера и питание остальной схемы имеет общий минусовой провод, этот класс сокращается исключительно до N канальных logic level полевиков. Одним из выходов, в данной ситуации, является использование специальных микросхем, драйверов, которые как раз и предназначены для того, чтобы тягать через затворы полевиков большие токи. Однако и такой вариант не лишн недостатков. Во первых, драйверы далеко не всегда есть в наличии в магазинах, а во вторых, они достаточно дороги. В связи с этим возникла мысль сделать простой, бюджетный драйвер на рассыпухе, который можно было бы использовать для управления как N канальными, так и P канальными полевиками в любых низковольтных схемах, скажем вольт до 2. Ну, благо у меня, как у настоящего радиохламера, навалом всякой электронной рухляди, поэтому после серии экспериментов родилась вот такая схема R12,2 к. Ом, R21. 00 Ом, R31,5 к. Ом, R44. 7 Ом. D1 диод 1. На Телефон Музыку. N4. 14. 8 стеклянный бочонокT1, T2, T3 транзисторы KST2. A SOT 2. 3, маркировка 1. PT4 транзистор BC8. SOT 2. 3, маркировка 5. Cмкость между Vcc и Out символизирует подключение P канального полевика, мкость между Out и Gnd символизирует подключение N канального полевика мкости затворов этих полевиков. Пунктиром схема разделена на два каскада I и II. При этом первый каскад работает как усилитель мощности, а второй каскад как усилитель тока. Подробно работа схемы описана ниже. Итак. Если на входе In появляется высокий уровень сигнала, то транзистор T1 открывается, транзистор T2 закрывается поскольку потенциал на его базе падает ниже потенциала на эмиттере. В итоге транзистор T3 закрывается, а транзистор T4 открывается и через него происходит перезаряд мкости затвора подключенного полевика. Это, в свою очередь, приводит к открытию транзистора T3 и закрытию транзистора T4. Перезаряд мкости затвора подключенного полевика происходит через открытый транзистор T3. Тут вс очень просто. Я не зря выше написал пути протекания токов базы выходных транзисторов для разных состояний схемы. Посмотрите на них ещ раз и представьте что было бы, если бы не было транзистора T2 с обвязкой. Транзистор T4 отпирался бы в этом случае большим током имеется ввиду ток базы транзистора, протекающим с выхода Out через открытый T1 и R2, а транзистор T3 отпирался бы маленьким током, протекающим через резистор R3. Это привело бы к сильно затянутому переднему фронту выходных импульсов. Ну и во вторых, наверняка многих заинтересует, зачем нужны резисторы R2 и R4. Их я воткнул для того, чтобы хоть немного ограничить пиковый ток через базы выходных транзисторов, а также окончательно подравнять передний и задний фронты импульсов. Собранное устройство выглядит вот так Разводка драйвера сделана под smd компоненты, причм таким образом, чтобы его можно было легко подключать к основной плате устройства в вертикальном положении. То есть на основной плате у нас может быть разведн полумост, H мост или что то ещ, а уже в эту плату останется только вертикально воткнуть в нужных местах платы драйверов. Скачать разводку драйвера Dip. Trace 2. 3Разводка имеет некоторые особенности. Для радикального уменьшения размеров платы пришлось слегка неправильно сделать разводку транзистора T4. Его перед припаиванием на плату нужно перевернуть лицом маркировкой вниз и выгнуть ножки в обратную сторону к плате. Ниже приведены осциллограммы работы драйвера для напряжений питания 8. В и 1. 6В на частоте 2. Гц форма входного сигнала меандр. В качестве нагрузки конденсатор 4,7 н. Ф Как видите, длительности фронтов практически не зависят от уровня питающего напряжения и составляют чуть больше 1. По моему, довольно неплохо для такой бюджетной конструкции.